ENGINEERED RESIDUE IN CHAIN A, VAL 353 TO LEU ENGINEERED RESIDUE IN CHAIN A, SER 395 TO GLY ...ENGINEERED RESIDUE IN CHAIN A, VAL 353 TO LEU ENGINEERED RESIDUE IN CHAIN A, SER 395 TO GLY ENGINEERED RESIDUE IN CHAIN B, VAL 353 TO LEU ENGINEERED RESIDUE IN CHAIN B, SER 395 TO GLY
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実験情報
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実験
実験
手法: X線回折 / 使用した結晶の数: 1
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試料調製
結晶
マシュー密度: 2.96 Å3/Da / 溶媒含有率: 58.43 % 解説: INITIALLY THE STRUCTURE WAS DETERMINED BY MIRAS USING TWO DIFFERENT DERIVATIVES. THEN UTILIZING 3.3 A NATIVE DATASET THE PHASES WERE EXTENDED AND BACKBONE HELICAL MODEL WAS BUILD. THIS MODEL ...解説: INITIALLY THE STRUCTURE WAS DETERMINED BY MIRAS USING TWO DIFFERENT DERIVATIVES. THEN UTILIZING 3.3 A NATIVE DATASET THE PHASES WERE EXTENDED AND BACKBONE HELICAL MODEL WAS BUILD. THIS MODEL WAS USED AS A STARTING MODEL WITH ROSETTA-MR IMPLEMENTED IN PHENIX.
結晶化
詳細: 19-22% PEG 350, 0.1 M MES-NAOH PH 6.5, 0.2 M CA2CL, 2 MM DTT
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データ収集
回折
平均測定温度: 100 K
放射光源
由来: シンクロトロン / サイト: MAX II / ビームライン: I911-3 / 波長: 1
検出器
タイプ: MARMOSAIC 225 mm CCD / 検出器: CCD / 日付: 2012年2月10日 詳細: RH-COATED SI MIRROR AND RH- COATED TOROIDAL SI MIRROR
放射
モノクロメーター: SI (111) DOUBLE CRYSTAL / プロトコル: SINGLE WAVELENGTH / 単色(M)・ラウエ(L): M / 散乱光タイプ: x-ray
放射波長
波長: 1 Å / 相対比: 1
反射
解像度: 2.6→50 Å / Num. obs: 49279 / % possible obs: 97.8 % / Observed criterion σ(I): 2 / 冗長度: 7.43 % / Rmerge(I) obs: 0.05 / Net I/σ(I): 22.7
反射 シェル
解像度: 2.6→2.76 Å / 冗長度: 6.9 % / Rmerge(I) obs: 0.84 / Mean I/σ(I) obs: 2.14 / % possible all: 95.1
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解析
ソフトウェア
名称
分類
REFMAC
モデル構築
XDS
データ削減
XDS
データスケーリング
SHELXCD
位相決定
SHELXD
位相決定
SHARP
位相決定
REFMAC
位相決定
PHENIX
位相決定
精密化
構造決定の手法: 分子置換 開始モデル: OUR BACKBONE HELICAL LOW RESOLUTION MODEL 解像度: 2.6→50 Å / Cor.coef. Fo:Fc: 0.954 / Cor.coef. Fo:Fc free: 0.935 / SU B: 24.872 / SU ML: 0.239 / 交差検証法: THROUGHOUT / ESU R: 0.564 / ESU R Free: 0.294 / 立体化学のターゲット値: MAXIMUM LIKELIHOOD / 詳細: HYDROGENS HAVE BEEN ADDED IN THE RIDING POSITIONS.
Rfactor
反射数
%反射
Selection details
Rfree
0.24478
2622
5.1 %
RANDOM
Rwork
0.20458
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-
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obs
0.20658
49279
97.76 %
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溶媒の処理
イオンプローブ半径: 0.8 Å / 減衰半径: 0.8 Å / VDWプローブ半径: 1.2 Å / 溶媒モデル: MASK